CMP研磨液專用（yòng）氣相二氧化矽

來源：格矽科技 日期：2020-06-16

CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化（huà）學機械拋光是一個（gè）化學腐蝕和機械摩擦的結合。是目前較為普遍的半導體材料表（biǎo）麵平整技術，兼收了（le）機械摩擦和化學腐蝕的優點，從而避免了由單純機械拋光造成的表麵（miàn）損傷和由單純化學拋光易（yì）造成的拋光速度慢、表麵平整度和拋光一致性差等缺點。可以獲得（dé）比較完美的晶片表麵。

國際上普遍認為（wéi），器件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平麵化以保證光刻影像傳遞的精確度和分（fèn）辨率，而CMP是目前可以提（tí）供全局平麵化的技術。其設備作用原理圖如下（xià）：

研磨液：研磨時添加的液體狀物質，顆（kē）粒大小跟研磨後（hòu）的刮傷等缺陷有關，顆粒越大對晶片的損傷越大，顆粒（lì）越小越好。基本形式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組（zǔ）分水溶液組成（chéng），顆（kē）粒的（de）大小1-100nm，濃度1.5%-50%，堿性組（zǔ）成一般（bān）是KOH，氨或有機（jī）胺，pH為9.5-11。

由於氣相二（èr）氧化矽的高純度、可控製的（de）原始納米粒徑和粒徑分布等，使得氣相（xiàng）sio2成為氧化物拋（pāo）光（guāng）研磨液中的主要磨（mó）料。

本項目經過專有工藝生（shēng）產的CMP氣矽對打破國外品牌對研磨（mó）液（yè）用氣矽的壟斷地位，對中國（guó）芯片全產業鏈的（de）發展貢獻，具有十分重要意義。

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