1 項目背景
在中美貿易戰摩擦加劇的背景下，對於半導體材料自主控製權的爭奪已經愈演愈烈（liè）。尤其是近幾 年我國新建產（chǎn）能成為全球晶圓廠的主要增量，但是製約半導（dǎo）體（tǐ）產業做（zuò）強的上遊關鍵原材料和生產設備 仍（réng）然幾乎被美國和日本的（de）公司所壟斷，如今（jīn）西方多家對中國科技尤其是芯片產業的進一步封（fēng）鎖，對（duì）於 我國半導體行業發展的打（dǎ）擊幾乎是一劍封喉，因此半導體材料國產化戰略地（dì）位凸顯，在材（cái）料領域進口 替代進程加速是大勢所趨。
2 產品說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化學腐蝕（shí）和機械（xiè）摩擦的（de）結合。是目前最 為普遍的半導體材料表（biǎo）麵平整（zhěng）技術，兼收了機械摩擦和化學腐蝕的優點，從而避免了由單純機（jī）械拋光 造成的表（biǎo）麵損傷和由單純化學拋（pāo）光易（yì）造成的拋光速度慢、表麵平整度和拋光一（yī）致性差等缺（quē）點。可以獲 得比（bǐ）較完美（měi）的晶片表麵。
國際上普遍認為，器（qì）件特征尺寸在0.35μm以下時，必（bì）須進行全局平麵化以保證光刻影像傳（chuán）遞的精 確度和分辨率，而CMP是目前幾乎唯一的可以提（tí）供（gòng）全局平麵化的技術。其設備作用原理圖如下：
研磨液：研磨時添加的液體狀物（wù）質（zhì），顆粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有關，顆粒（lì）越大對（duì）晶片的損 傷越大，顆粒越小越好。基本形式是由納米粉體拋光劑和（hé）一個堿性組分水溶（róng）液組成，顆粒的大小（xiǎo）1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般是KOH，氨或有（yǒu）機（jī）胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽（guī）的高純度（dù）、可控（kòng）製的原始納米粒（lì）徑和粒徑分布（bù）等，使得氣相sio2成為氧化物拋 光研磨液中的主要磨料。
3 項（xiàng）目原料：
金屬矽粉（fěn）、鹽酸、氫氣。 年產1000噸納米氣相（xiàng）鈦白（bái）粉（fěn）項目 年產20000噸特（tè）種紙專用（yòng）輕質碳酸鈣項 目年（nián）產（chǎn）1000噸BIPB（無味DCP）項目 持續研發
4、項目配套（tào）：
化工產業園區（qū）、蒸汽、電力、工（gōng）業水。
5、技術優勢
專利：一種（zhǒng）氣相（xiàng）法生產二氧（yǎng）化矽及金屬氧化（huà）物的設（shè）備
專利：一種生產高純三氯氫矽和四氯化矽的裝（zhuāng）置及（jí）工藝
6、項目總投資1.5億元。
7、項目占地：30畝
8、經濟效益
